Sk hynix beginnt mit der Massenproduktion seines 72-Schicht-3D-Nand
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Im April letzten Jahres kündigte SK Hynix seine vierte Generation von 72-Schicht-3D-NAND-Speichern an, die eine Speicherdichte pro Chip von 256 GB erreichen und eine ähnliche Produktivität wie der 64-Schichten-Speicher von Samsung bieten.
SK Hynix gewinnt den Kampf mit 72-lagigem 3D-NAND
In den nächsten drei Monaten hat das SK Hynix- Entwicklungsteam sehr hart daran gearbeitet, die Erfolgsquote bei der Herstellung seines neuen 72-Schicht-Speichers zu verbessern. Anfangs lag die Leistung unter 50%, sodass Anlass zur Sorge bestand.
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Schließlich hat es SK Hynix geschafft, den Kampf nach sehr harter Arbeit seines gesamten Teams zu gewinnen, mit dem die Fertigungsleistung seines 72-lagigen 3D-NAND-Speichers dramatisch gestiegen ist und bereits das Niveau erreicht, das Samsung mit seinen Chips erreicht hat 64-lagig. Samsung ist der unbestrittene Marktführer in der Speicherherstellung. Es ist also ein ziemlicher Erfolg, den südkoreanischen Riesen eingeholt zu haben.
SK Hynix hat auch begonnen, an einem eigenen Controller zu arbeiten, um die Abhängigkeit von Controllern von Drittanbietern zu vermeiden. Dadurch verfügt es über alle Elemente, um die SSDs vollständig zu produzieren, was eine größere Gewinnspanne und eine größere Wettbewerbsfähigkeit bedeutet.
Quelle: overclok3d
Sk hynix wird in drei Monaten mit der Massenproduktion seines gddr6 beginnen
Quellen in der Nähe von SK Hynix haben berichtet, dass das Unternehmen in nur drei Monaten mit der Massenproduktion seines GDDR6-Speichers beginnen wird.
Samsung beginnt mit der Massenproduktion seines VNAND-Speichers der fünften Generation
Samsung Electronics, der Weltmarktführer für fortschrittliche Speichertechnologie, gab heute den Beginn der Massenproduktion seiner neuen Speicherchips bekannt. Samsung gab heute den Beginn der Massenproduktion seiner neuen VNAND-Speicherchips der fünften Generation bekannt die Details.
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Samsung ist jetzt bereit, die Massenproduktion der ersten Chips mit seinem neuen 10-nm-FinFET-10LPP-Herstellungsverfahren zu starten.