Samsung beginnt mit der Massenproduktion seines 10-nm-Finfet 10lpp der zweiten Generation
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Samsung gab heute den Beginn der Massenproduktion von Chips auf der Grundlage seines 10-nm-FinFET-10LPP- Herstellungsprozesses der zweiten Generation bekannt, wodurch ein neues Maß an Leistung und Energieeffizienz erreicht wird.
Samsung hat den 10-nm-FinFET 10LPP bereits bereit
Dieses neue Herstellungsverfahren wurde als 10-nm-FinFET 10LPP (Low Power Plus) bezeichnet und zeichnet sich durch eine gleichzeitige Reduzierung des Energieverbrauchs um 15% gegenüber der ersten Version des 10-nm-FinFET aus Verbessert die Leistung um 10%, sodass wir eine ziemlich signifikante Verbesserung erzielen. Dies führt zu neuen Mobilgeräten mit besserer Autonomie und Leistungsfähigkeit für alle Arten von Aufgaben.
AMD wird ein 12-nm-LP-FinFET-Verfahren für Ryzen und Vega der zweiten Generation verwenden
Die ersten SoCs, die mit diesem Verfahren bei 10 nm FinFET 10LPP hergestellt werden, werden Anfang 2018 eintreffen, obwohl ihre Verfügbarkeit zu Beginn sehr begrenzt sein wird, wie dies normalerweise bei allen Generationen der Fall ist.
"Wir können unsere Kunden besser bedienen, indem wir von 10LPE auf 10LPP mit besserer Leistung und höherer Anfangsleistung migrieren", sagte Ryan Lee, Vice President Foundry Marketing bei Samsung Electronics. "Samsung mit seiner langjährigen Erfahrung in der 10-nm-Prozessstrategie wird die Technologie von 10 nm auf 8 LPP weiterentwickeln, um Kunden deutliche Wettbewerbsvorteile für eine Vielzahl von Anwendungen zu bieten."
Samsung hat außerdem angekündigt, dass seine neue S3-Produktionslinie in Korea mit der Produktion von 10-nm-Chips und zukünftigen Lithografien wie dem 7-nm-FinFET mit EUV-Technologie beginnen wird, die im letzteren Werk in Massenproduktion hergestellt werden.
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