Samsung beginnt mit der Massenproduktion seines VNAND-Speichers der fünften Generation
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Samsung Electronics, der weltweit führende Anbieter fortschrittlicher Speichertechnologie, gab heute den Beginn der Massenproduktion seiner neuen VNAND-Speicherchips der fünften Generation bekannt, die die schnellsten heute verfügbaren Datenübertragungsraten bieten werden.
Samsungs VNAND der fünften Generation wird bereits in Massenproduktion hergestellt
Diese neuen VNAND- Speicherchips der fünften Generation von Samsung basieren auf der DDR 4.0-Schnittstellentechnologie, mit der Daten mit einer Geschwindigkeit von 1, 4 Gigabit pro Sekunde übertragen werden können. Dies entspricht einer Steigerung von 40 Prozent gegenüber der Technologie. vierte Schicht der vierten Generation. Dieser VNAND der fünften Generation von Samsung stapelt nicht weniger als 90 Speicherschichten in einer Pyramidenstruktur mit vertikal gebohrten mikroskopischen Kanallöchern. Diese winzigen Kanallöcher, die nur einige hundert Nanometer (nm) breit sind, enthalten mehr als 85 Milliarden CTF-Zellen, die jeweils drei Datenbits speichern können.
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Die Energieeffizienz des neuen VNAND der fünften Generation von Samsung bleibt dank einer Reduzierung der Betriebsspannung von 1, 8 Volt auf 1, 2 Volt mit der des 64-Schicht-Chips vergleichbar. Diese neue Speichertechnologie bietet außerdem die bisher schnellste Datenschreibgeschwindigkeit von 500 Mikrosekunden, was einer Verbesserung von 30 Prozent gegenüber der Schreibgeschwindigkeit der vorherigen Generation entspricht. Die Reaktionszeit zum Lesen von Signalen wurde wiederum bis zu 50 Mikrosekunden erheblich reduziert.
Samsung wird die Massenproduktion seiner fünften Generation von VNANDs schnell beschleunigen, um eine breite Palette von Marktanforderungen zu erfüllen, da es weiterhin die Speicherbewegung mit hoher Dichte in kritischen Sektoren wie Supercomputing, Business-Servern und den neuesten mobilen Anwendungen anführt.
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