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Samsung hat seinen Herstellungsprozess bereits bei 8 nm fertig

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Anonim

Samsung ist einer der weltweit führenden Hersteller von Siliziumchips und hat nicht die Absicht, das Handtuch zu werfen. Der südkoreanische Riese ist bereits bereit für ein neues, verfeinertes Herstellungsverfahren, um die Leistung seiner Chips und der von Dritten, auf die zurückgegriffen wird, zu verbessern seine Gießerei.

Samsung hat bereits die 8 nm bereit

Samsung hat offiziell bekannt gegeben, dass sein neues 8-nm-LPP- Herstellungsverfahren (Low Power Plus) für die Produktion der ersten Chips bereit ist. Dieses neue Verfahren bietet eine Leistungssteigerung von bis zu 10% gegenüber dem aktuellen 10-nm-Verfahren des Unternehmens Flächenreduzierung von Transistoren um bis zu 10%.

Dieser Knoten ist eine Weiterentwicklung des bestehenden 10-nm-Produktionsknotens von Samsung, wodurch dieser Prozess tatsächlich 10 nm + beträgt. Für das Marketing wird jedoch eine Namensänderung angewendet, da wir uns daran erinnern, dass es keinen Standard gibt, wenn es darum geht Messen Sie die Größe der Transistoren, damit jede Gießerei sie anders ausdrücken kann. Dies bedeutet, dass die Herstellungsprozesse von zwei Unternehmen sehr unterschiedlich sein können, obwohl sie scheinbar gleich nm sind.

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Die Vorteile dieses neuen Prozessknotens sind die Tatsache, dass er auf der vorhandenen Technologie von Samsung aufbaut und es Samsung ermöglicht, die 8-nm-Produktion durch Anpassung der vorhandenen 10-nm-Technologie schnell zu beschleunigen. Samsung konnte die Qualifikation mit diesem neuen Knoten drei Monate vor dem geplanten Termin bestehen, sodass das Unternehmen 8-nm-Funktionschips vorzeitig produzieren konnte.

8nm wird Samsungs letzter Knoten sein, bevor es zu EUV (Extreme Ultra Violet) mit seinem 7nm-Fertigungsknoten wechselt. Dies läutet eine neue Ära für Moores Gesetz ein und ermöglicht es den Herstellern, einige der bisherigen Einschränkungen zu überwinden Fortschritte in der Branche vereiteln.

7LPP wird die erste Halbleiterprozesstechnologie sein, die eine EUV-Lithografielösung verwendet. In Zusammenarbeit von Samsung und ASML wurden 250 W maximale EUV-Leistung entwickelt. Dies ist der wichtigste Meilenstein für die Einführung von EUV in der Massenproduktion. Der Einsatz der EUV-Lithographie wird die Barrieren von Moores Gesetzesskala durchbrechen und den Weg für Generationen von Ein-Nanometer-Halbleitertechnologie ebnen.

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