Samsung startet seinen Herstellungsprozess bei 7 nm mit euv
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Samsung hat mit der Herstellung von 7-nm-Chips mithilfe der EUV- Technologie begonnen. Diese Geschichte folgt einer ähnlichen Ankündigung seines größten Gießereirivalen TSMC Anfang dieses Monats.
Samsung ist bereits in der Lage, 7-nm-Chips mit EUV-Technologie herzustellen
Der südkoreanische Riese gab außerdem bekannt, dass er 256-GB-RDIMMs auf Basis seiner 16-Gbit-DRAM-Chips abtastet und Solid-State-Laufwerke mit eingebetteten Xilinx-FPGAs plant. Die 7-nm-Nachrichten waren jedoch der Höhepunkt der Veranstaltung, ein Meilenstein, der teilweise durch die interne Entwicklung eines EUV-Maskeninspektionssystems vorangetrieben wurde.
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Der 7LPP-Prozess bietet eine Größenreduzierung von bis zu 40% und eine um bis zu 20% höhere Geschwindigkeit oder einen um 50% geringeren Stromverbrauch im Vergleich zu seinem aktuellen 10-nm-Knoten. Der Prozess soll Kunden wie Webgiganten, Netzwerkunternehmen und Mobilfunkanbieter wie Qualcomm angezogen haben. Samsung erwartet jedoch erst Anfang nächsten Jahres Kundenankündigungen.
Die EUV-Systeme unterstützten seit Anfang dieses Jahres nachhaltig 250-W-Lichtquellen in der S3-Fabrik von Samsung in Hwaseong, Südkorea, sagte Bob Stear, Director of Foundry Marketing bei Samsung. Die Leistungsstufe brachte die Leistung auf 1.500 Wafer pro Tag. Seitdem haben EUV-Systeme einen Spitzenwert von 280 W erreicht, und Samsung strebt 300 W an.
EUV entfernt ein Fünftel der bei herkömmlichen Argonfluoridsystemen erforderlichen Masken und erhöht so die Ausbeute. Der Knoten benötigt jedoch immer noch mehrere Muster in den Basisschichten am vorderen Ende der Linie. Samsung wird es TSMC zweifellos sehr schwer machen.
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