Uk iii-v Speicher, Speicher-Nr

Forscher der Lancaster University in Großbritannien haben erfolgreich versucht, eine Art nichtflüchtigen Flash-Speicher zu entwickeln, der so schnell wie DRAM ist, aber nur 1% der Energie verbraucht, die moderner NAND- oder DRAM-Speicher benötigt. Datenbits schreiben. Der Speicher wird als UK III-V-Speicher bezeichnet.

UK III-V-Speicher, nichtflüchtiger Speicher, der so schnell wie DRAM ist und 100-mal weniger verbraucht

Der Energieverbrauch für eine im 20-nm-Lithografieverfahren gebaute Tür beträgt ungefähr 10 hoch -17 Joule. UK III-V- Speichertransistoren haben einen typischen Ausschaltzustand, und eine Gate-Ladung würde etwa 5 ns dauern, während das Entleeren 3 ns dauert, wobei beide Zahlen sehr respektabel sind. Diese Zahlen dürften etwas höher sein, wenn ein Controller hinzugefügt wird, aber das wäre eine Kompensation für die erzielte Effizienz wert.

Die Entwicklung befindet sich noch im einfachen Transistorstadium, daher ist die Umsetzung in ein vollständiges kommerzielles Produkt noch weit entfernt. Das Erreichen eines nichtflüchtigen Speichers, der effizient und schnell genug ist, um mit DRAM zu konkurrieren, ist jedoch ein ziemlicher Erfolg.

Es ist interessant, nichtflüchtigen Speicher so schnell wie DRAM zu haben, da damit PCs erstellt werden können, die die Daten, die wir derzeit im RAM speichern, speichern können, wenn das System vollständig ausgeschaltet ist, und daher sofort wieder aufgenommen werden können, wenn sie noch vorhanden sind aus einem vollständigen Abschaltzustand. Dies würde die Notwendigkeit von Ruhezuständen beseitigen und es den Systemen auch ermöglichen, den RAM im Leerlauf herunterzufahren, wodurch der Stromverbrauch weiter reduziert wird.

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Die Frage, die sich stellt, ist, ob der UK III-V-Speicher die wiederholten Umschreibungen verarbeiten kann, die DRAM normalerweise durchläuft. Wenn Verschleiß ein Problem darstellt, kann dies jeden Traum von einem Computer mit nichtflüchtigem RAM zerstören.

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