Sk hynix kündigt seinen neuen 8-GB-DDR4-Speicher an, der in 1ynm erstellt wurde

Der Speicherriese SK Hynix hat die Entwicklung seines 8-Gbit-1-Ym-DDR4-DRAM- Speichers angekündigt, der mit 14-nm- und 16-nm- Lithografie hergestellt werden kann. Der neue Chip bietet eine 20% ige Verbesserung der Produktivität im Vergleich zum 1Xnm-Gegenstück der vorherigen Generation sowie eine mehr als 15% ige Verbesserung des Stromverbrauchs.

Neuer SK Hynix 1Ynm 8Gb DDR4 RAM

Der neue DDR4-DRAM mit 8 Gbit und 1 Gm von SK Hynix unterstützt eine Datenübertragungsrate von bis zu 3.200 Mbit / s. Dies ist nach Angaben des Unternehmens die schnellste Datenverarbeitungsgeschwindigkeit auf der DDR4-Schnittstelle. SK Hynix hat ein 4-Phasen-Timing-Schema eingeführt, das das Taktsignal dupliziert, um die Geschwindigkeit und Stabilität der Datenübertragung zu erhöhen.

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SK Hynix stellte außerdem seine eigens entwickelte " Sense Amp Control " -Technologie vor, um den Stromverbrauch und Datenfehler zu reduzieren. Mit dieser Technologie konnte das Unternehmen die Leistung des sensorischen Verstärkers verbessern. SK Hynix verbesserte die Struktur des Transistors, um die Möglichkeit von Datenfehlern zu verringern, eine Herausforderung, die mit der Reduzierung der Technologie einhergeht. Das Unternehmen fügte der Schaltung außerdem eine Stromversorgung mit geringem Stromverbrauch hinzu, um unnötigen Energieverbrauch zu vermeiden.

Dieser DDR4-DRAM mit 1 Gn und 8 Gb bietet laut Sean Kim, Vice President von SK Hynix, eine optimale Leistung und Dichte für die Kunden des Unternehmens. SK Hynix plant, ab dem ersten Quartal nächsten Jahres mit dem Versand zu beginnen, um aktiv auf die Marktnachfrage zu reagieren. SK Hynix plant, seinen 1Ynm-Technologieprozess für Server und PCs und anschließend für andere Anwendungen wie mobile Geräte anzubieten.

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