Samsung spricht über seine Technologie v

Kürzlich fand in Japan das Samsung SSD Forum statt, bei dem das südkoreanische Unternehmen die ersten Details zu seinen nächsten 96-Schicht-V-NAND- Speichereinheiten auf Basis der QLC- Technologie enthüllte.

Samsung gibt die ersten Details seines 96-Schicht-V-NAND-QLC-Speichers

Die Verwendung von V-NAND-QLC-Speicher über V-NAND-TLC bietet eine um 33% höhere Speicherdichte und damit niedrigere Speicherkosten pro GB. Dies ist sehr wichtig, wenn SSDs vollständig ersetzt werden sollen eines Tages mechanische Festplatten. Die ersten Samsung-SSDs, die ihren V-NAND-QLC-Speicher einsetzen, sind Modelle mit hoher Kapazität für Kunden, die eine große Datenmenge speichern müssen und möglicherweise nicht an maximaler Leistung interessiert sind, da die ersten Chips eingesetzt werden Dieser Typ wird hinter denen zurückbleiben, die auf TLC in Bezug auf die Vorteile basieren.

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Samsung arbeitet seit über einem Jahr offen an U.2-SSD-Laufwerken mit ultrahoher Kapazität, die auf V-NAND-QLC-Speicher basieren. Diese Laufwerke werden für WORM- Anwendungen (einmal schreiben, viele lesen) verwendet , die nicht für schnelles Schreiben optimiert sind, aber HDD-basierte Arrays deutlich übertreffen. Samsung erwartet, dass seine ersten NVMe-Laufwerke mit QLC sequentielle Lesegeschwindigkeiten von bis zu 2.500 MB / s sowie bis zu 160 KB IOPS mit zufälligem Lesevorgang bieten.

Eine weitere Produktreihe von Samsung, die auf der V-NAND-QLC-Technologie basiert, sind Consumer-SSDs mit Kapazitäten von mehr als 1 TB. Diese Laufwerke verwenden eine SATA-Schnittstelle und bieten einen sequentiellen Lese- und Schreibdurchsatz von ca. 520 MB / s. Samsung geht nicht davon aus, dass QLC V-NAND TLC V-NAND bald als primären Flash-Speichertyp ersetzen wird. Der NAND-QLC erfordert teurere Steuerungen mit erheblich höheren Verarbeitungskapazitäten, um einen angemessenen Widerstand sicherzustellen.

Anandtech-Schriftart