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Samsung beginnt mit der Massenproduktion von eufs 3.0-Modulen

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Anonim

Samsung gab heute bekannt, dass es mit der Massenproduktion der branchenweit ersten integrierten universellen Flash-Speichermodule mit 512 GB eUFS 3.0 für mobile Geräte der nächsten Generation begonnen hat.

Smartphones der nächsten Generation werden dank eUFS 3.0 Kapazitäten von bis zu 1 TB haben

In Übereinstimmung mit der neuesten eUFS 3.0-Spezifikation bietet der neue Samsung-Speicher die doppelte Geschwindigkeit des vorherigen eUFS (eUFS 2.1) und ermöglicht eine unvergleichliche Benutzererfahrung auf zukünftigen Smartphones mit großen, hochauflösenden Displays mit der doppelten Verdreifachen Sie die Speicherkapazität auf Smartphones.

Samsung produzierte im Januar 2015 die branchenweit erste UFS-Schnittstelle mit eUFS 2.0, die 1, 4-mal schneller war als der damalige Standard für mobilen Speicher, die als Integrated Media Card (eMMC) 5.1 bekannt ist. In nur vier Jahren wird das neue eUFS 3.0 des Unternehmens mit der Leistung der heutigen Ultrabook-Notebooks mithalten können.

Samsungs 512 GB eUFS 3.0 stapelt acht der 512-Gigabit (Gb) V-NAND-Arrays der fünften Generation des Unternehmens und integriert einen Hochleistungscontroller. Mit 2.100 Megabyte pro Sekunde (MB / s) verdoppelt das neue eUFS die sequentielle Lesegeschwindigkeit des neuesten Samsung eUFS-Speichers (eUFS 2.1), der im Januar angekündigt wurde. Die Lesegeschwindigkeit der neuen Lösung ist viermal schneller als die eines SATA-Solid-State-Laufwerks (SSD) und 20-mal schneller als die der heutigen microSD-Karte.

Die Schreibgeschwindigkeit beträgt bis zu 410 MB / s. Dies entspricht einer aktuellen SATA-SSD. Es werden auch 63.000 und 68.000 Eingabe- / Ausgabeoperationen pro Sekunde (IOPS) geschätzt.

Samsung plant außerdem, in der zweiten Jahreshälfte 1 TB eUFS 3.0-Module herzustellen.

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