Toshiba entwickelt bereits die 5-Bit-Flash-SSD-Technologie pro Zelle (plc)
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Toshiba hat bereits mit der Planung für zukünftige BiCS Flash-Generationen begonnen. Jede neue Generation wird mit neuen Generationen des PCIe-Standards zusammenfallen, beginnend mit BiCS 5, das in Kürze in Übereinstimmung mit PCIe 4.0 veröffentlicht wird, aber das Unternehmen hat keinen spezifischen Zeitplan angegeben. BiCS5 wird eine höhere Bandbreite von 1.200 MT / s haben, während BiCS6 1.600 MT / s erreichen wird und BiCS7 voraussichtlich 2.000 MT / s erreichen wird.
Toshiba entwickelt bereits die 5-Bit-pro-Zelle-Flash-SSD-Technologie (PLC)
Das Unternehmen hat außerdem mit der Erforschung der NAND-Flash-Technologie für Penta-Level-Zellen (PLC) begonnen und den Betrieb der NAND-Technologie mit fünf Bit pro Zelle durch Modifikation des aktuellen NAND-QLC überprüft. Der neue Blitz bietet mehr Dichte und die Möglichkeit, fünf Bits pro Zelle zu speichern, anstatt nur vier, die im aktuellen QLC vorhanden sind. Dazu muss die Zelle jedoch 32 verschiedene Spannungspegel speichern können, und die SSD-Treiber müssen diese genau lesen. Bei so vielen Spannungspegeln zum Lesen und Schreiben auf einer metrischen Skala ist die neue Technologie eine große Herausforderung. Um die strengeren Schwellenwerte zu kontrollieren, musste das Unternehmen einige zusätzliche Prozesse entwickeln, die an die aktuelle TLC und QLC angepasst werden konnten, um die Leistung zu steigern.
QLC ist bereits ziemlich langsam und hat weniger Widerstand als andere Blitzarten. Die SPS hat noch weniger Widerstand und eine langsamere Leistung. Neue NVMe- Protokollfunktionen wie Zoned Namespaces (ZNS) sollten jedoch dazu beitragen, einige der Probleme zu verringern. ZNS allein zielt darauf ab, die Schreibverstärkung zu reduzieren, den Bedarf an Medienüberversorgung und die Verwendung von DRAMs für interne Controller zu verringern und natürlich die Leistung und Latenz zu verbessern.
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Das Unternehmen hat ein neues Verfahren entwickelt, das die Matrizendichte in den nächsten Generationen von BiCS FLASH in all seinen Formen erhöht. Im Wesentlichen wird die Speicherzelle in zwei Hälften geteilt, um sie zu erweitern, während der normale 3D-Flash-Prozess beibehalten wird. Toshiba ist sich nicht sicher, ob dieser Ansatz derzeit vollständig durchführbar ist.
Der Speicher auf Solid-State-Laufwerken scheint sich ständig weiterzuentwickeln, mit größeren, schnelleren und kostengünstigeren Laufwerken.
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