Toshiba setzt sich mit seiner XL-Technologie für Optane ein
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Toshiba gab auf dem Flash Memory Summit bekannt, dass es die Entwicklung der 3D XL-Flash-Technologie mit dem Schwerpunkt auf der Schaffung von 3D-NAND-Speichern mit geringer Latenz entwickelt, die mit neuen Optane- und 3D XPoint-Speichertechnologien konkurrieren können. Laut Toshiba könnte der neue Ansatz für NAND-Speicher mit niedriger Latenz die Latenzwerte auf nur 1/10 des aktuellen NAND-TLC-Preises für Verbraucher reduzieren.
Die XL-Flash-Technologie verspricht eine Verbesserung der 3D-NAND-Speicherlatenz
Eine aktualisierte NAND-Architektur mit XL-Flash könnte dem entsprechen, was Samsung mit seiner Z-NAND- Technologie macht, wodurch die Produktionskosten im Vergleich zu Optane gesenkt werden könnten. Toshiba wird seine BiCS-Flash-Technologie verwenden, aber XL-Flash wird zumindest anfänglich in SLC-Bereitstellungen bereitgestellt, um die Leistung zu verbessern (7 Mikrosekunden Antwortzeit gegenüber 30 Mikrosekunden QLC). Dies reduziert natürlich die Speicherdichte, aber denken wir daran, dass das Ziel darin besteht, Optan-ähnliche Leistung und gleiche oder bessere Dichte zu einem niedrigeren Preis anzubieten.
Schritte, die Toshiba unternommen hat, um die Leistung zu steigern, umfassen das Verkürzen von Bit- und Wortleitungen, interne Verbindungen zwischen Zellen oder kürzere Wege zwischen Zellen, was eine geringere Latenz und eine bessere Leistung bedeutet. Darüber hinaus wurden Parallelität und Leistung durch Hinzufügen weiterer Flash-Ebenen erhöht, unabhängige Regionen, die gleichzeitig auf Datenanforderungen reagieren können.
Es wird erwartet, dass der XL-Flash als Cache-Speicher in QLC-Laufwerken mit hoher Dichte sowie als eigenständige Produkte verwendet wird, mit denen das Optane-Speicher von Intel entthront werden soll.
Toshiba scheint mit der XL-Flash- Initiative ehrgeizig zu sein und muss einer der größten Speicherhersteller der Welt sein.
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