Sk hynix entwickelt einen 1znm 16GB (Gigabit) DDR4-Speicher

SK hynix hat angekündigt, einen neuen 1Znm 16Gb (Gigabits) DDR4-Speicher zu entwickeln. 1Znm bietet die branchenweit höchste Dichte und Gesamtkapazität pro Wafer, die für vorhandene DDR4-DRAM-Module verfügbar ist.

SK hynix entwickelt 1Znm 16Gb DDR4-Speicher (Gigabit)

Das Unternehmen behauptet, dass die Produktivität der neuen 1Znm-Speichermodule gegenüber der 1Ynm-Linie der vorherigen Generation um ca. 27% verbessert wurde. Der Herstellungsprozess erfordert jedoch kein kostspieliges extremes ultraviolettes Lithium (EUV), wodurch die 1Znm-Produktion rentabler als je zuvor wird.

Der SK hynix 1Znm-Speicher unterstützt Datenübertragungsraten von bis zu 3200 Mbit / s. Dies ist die schnellste Datenverarbeitungsgeschwindigkeit der DDR4-Schnittstelle. Die neuen 1Znm-Speichermodule haben die Energieeffizienz erhöht und damit den Stromverbrauch im Vergleich zu Modulen mit der gleichen Dichte wie der vorherige 1YNnm 8Gb-DRAM erfolgreich um rund 40% gesenkt.

Im Herstellungsprozess wurde eine neue Substanz angewendet, die in der vorherigen Generation nicht verwendet wurde, wodurch die Kapazität des 1Znm-Produkts maximiert wird. Die Kapazität ist die Menge an elektrischer Ladung, die ein Kondensator speichern kann, was ein Schlüsselelement im DRAM-Betrieb ist. In diesem Prozess wurde auch ein neues Design eingeführt, um die Betriebsstabilität zu erhöhen.

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SK hynix plant, den 1Znm- Technologieprozess auf eine Reihe von Anwendungen auszudehnen, einschließlich der nächsten Generation von tragbaren LPDDR5-DRAMs und HBM3s, die in Zukunft die schnellsten DRAMs sein werden.

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