Sk hynix kündigt seine hbm2e-Speicher mit einer Bandbreite von 460 Gbit / s an
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SK Hynix gab heute bekannt, dass es den branchenweit höchsten HBM2E-DRAM mit Bandbreite entwickelt hat. Das neue HBM2E bietet im Vergleich zum vorherigen HBM2E eine um ca. 50% größere Bandbreite und 100% zusätzliche Kapazität.
Hynix kündigt die Produktion von HBME2-Speichern für 2020 an
Der SK Hynix HBM2E unterstützt eine Bandbreite von über 460 GB (Gigabyte) pro Sekunde, basierend auf einer Geschwindigkeit von 3, 6 Gbit / s (Gigabit pro Sekunde) pro Pin mit 1.024 Daten-E / A (Ein- / Ausgänge). Mithilfe der TSV-Technologie (Through Silicon Via) werden maximal acht 16-Gigabit-Chips vertikal gestapelt und bilden ein einzelnes, dichtes Paket mit 16 GB Datenkapazität.
Der SK Hynix HBM2E ist eine optimale Speicherlösung für das vierte Industriezeitalter und unterstützt High-End-GPUs, Supercomputer, maschinelles Lernen und Systeme mit künstlicher Intelligenz, die ein Höchstmaß an Speicherleistung erfordern. Im Gegensatz zu DRAM-Produkten, die in Form von Modulpaketen vorliegen und auf Systemplatinen montiert sind, ist der HBM-Chip eng mit Prozessoren wie GPUs und Logikchips verbunden, die nur wenige µm-Einheiten voneinander entfernt sind noch schnellere Datenübertragung.
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