Samsung stellt bereits hbm2-Speicher von 8 GB bis 2,4 Gbit / s her
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Samsung hat einen wichtigen neuen Schritt in der Stapelspeichertechnologie mit hoher Bandbreite gemacht, besser bekannt als HBM. Das koreanische Unternehmen hat bereits mit der Massenproduktion von HBM2- Speicherstacks der zweiten Generation mit einer Kapazität von 8 GB und einer Geschwindigkeit von 2, 4 Gbit / s begonnen.
Samsung beginnt mit der Produktion von HBM2 der zweiten Generation
Samsung hat berichtet, dass es bereits mit der Massenfertigung seiner HBM2-Speicherchips der zweiten Generation begonnen hat. Diese verfügen über eine Kapazität von 8 GB pro Stapel und eine effektive Betriebsfrequenz von 2, 4 Gbit / s, um die Funktionen des zu beschleunigen GPU-basiertes Supercomputing der nächsten Generation.
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Dieser neue HBM2-Speicher der zweiten Generation arbeitet mit einer Spannung von 1, 2 V und ermöglicht eine höhere Energieeffizienz im Vergleich zum HBM2 der ersten Generation, der dieselbe Spannung verwendete, jedoch nur eine Rate von 1, 6 Gbit / s erreichte. Dank dessen erreicht ein einzelner Stapel dieses neuen Speichers eine Bandbreite von 307 GB / s, was fast dem Zehnfachen des GDDR5-Speichers entspricht, der in den letzten Jahren in fast allen Grafikkarten auf dem Markt verwendet wurde.
Um dies zu ermöglichen, wurden mithilfe der TSV-Technologie (Through Silicon Via) mehr als 5.000 Verbindungen pro Chip hergestellt. Dies war in einem so kleinen Paket nicht einfach erfolgreich zu erreichen und zeigt die Führungsrolle von Samsung.
Auf diese Weise ermöglicht Samsung eine neue Generation von Grafikkarten mit einer Speicherbandbreite von bis zu 1, 2 TB / s, wodurch die Funktionen erheblich erweitert werden. Derzeit wird von Spielkarten nicht erwartet, dass sie diese neue Technologie nutzen. Auf sie wartet die GDDR6.
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