Samsung produziert bereits die zweite Generation von 10-Nanometer-lpddr4x-Speichern in Massenproduktion
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Samsung Electronics, der weltweit führende Anbieter von Hochleistungsspeichertechnologie für alle Arten von elektronischen Geräten, gab heute bekannt, dass mit der Massenfertigung der zweiten Generation von 10-Nanometer-LPDDR4X-Speichern begonnen wurde.
Samsung bietet Details zu seinen 10-Nanometer-LPDDR4X-Speichern der zweiten Generation an
Diese neuen 10-Nanometer-LPDDR4X-Speicherchips von Samsung werden die Energieeffizienz verbessern und den Batterieverbrauch von Premium-Smartphones und anderen aktuellen mobilen Anwendungen senken. Samsung behauptet, dass die neuen Chips eine Leistungsreduzierung von bis zu 10% bieten und die gleiche Datenrate von 4, 266 Mbit / s wie Chips der ersten Generation bei 10 nm beibehalten. All dies wird deutlich verbesserte Lösungen für die Flaggschiff-Mobilgeräte der nächsten Generation ermöglichen, die später in diesem Jahr oder in der ersten Hälfte des Jahres 2019 auf den Markt kommen sollen.
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Samsung wird seine Produktionslinie für Premium-DRAM-Speicher um mehr als 70 Prozent erweitern, um die derzeit hohe Nachfrage zu befriedigen, die voraussichtlich zunehmen wird. Diese Initiative begann im vergangenen November mit der Massenproduktion des ersten 8-GB- und 10-nm-DDR4-DRM-Servers und wird nur acht Monate später mit diesem mobilen 16-Gbit-LPDDR4X-Speicherchip fortgesetzt.
Samsung hat ein 8-GB-LPDDR4X-DRAM-Paket erstellt, indem vier der 10-nm-DRD-LPDDR4X-16-Gbit-Chips kombiniert wurden. Dieses Vier-Kanal-Paket kann eine Datenrate von 34, 1 GB pro Sekunde realisieren und seine Dicke wurde seit dem Paket der ersten Generation um mehr als 20% reduziert, sodass OEMs dünnere und effektivere mobile Geräte entwickeln können.
Mit den Fortschritten beim LPDDR4X-Speicher wird Samsung seinen Marktanteil beim mobilen DRAM durch die Bereitstellung einer Vielzahl von Produkten mit hoher Kapazität schnell ausbauen.
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