Samsung und Arm geben wichtige Zusammenarbeit mit 7/5 nm Finfet bekannt
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Samsung und ARM haben eine Ausweitung ihrer Zusammenarbeit mit dem fortschrittlichen Herstellungsverfahren auf 7/5 nm FinFET angekündigt, damit sie der Konkurrenz im Bereich Hochleistungsrechnen einen Schritt voraus sind.
Samsung und ARM starten eine wichtige Zusammenarbeit mit dem 7- und 5-nm-FinFET der südkoreanischen Firma
Samsung und ARM hoffen, dass diese Zusammenarbeit sie dazu veranlasst, Prozessoren auf der Basis der ARM Cortex-A76-Architektur zu produzieren, die mit mehr als 3 GHz arbeiten können. Die Zusammenarbeit zwischen Samsung und ARM im Bereich IP-Lösungen ist entscheidend, um die Leistung von Hochleistungscomputern zu steigern und das Wachstum der Funktionen für künstliche Intelligenz und maschinelles Lernen zu beschleunigen.
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Beide Unternehmen werden die 7-nm-Low-Power-Plus- (7LPP) und 5-nm-Low-Power-Early-Prozesstechnologien (5LPE) von Samsung nutzen. 7LPP sollte in dieser zweiten Hälfte des Jahres 2018 für die erste Produktion bereit sein. ARM wird die physische IP-Plattform von ARM Artisan bereitstellen, die eine logische HD-Architektur, einen vollständigen Satz von Speichercompilern sowie 1, 8-V- und 3, 3-V-GPIO-Bibliotheken umfasst.
ARM und Samsung haben bei einer großen Anzahl von Chips zusammengearbeitet, wobei Artisans physische IP in den Prozesstechnologien von Samsung verwendet wurde. Die 7LPP- und 5LPE-Knoten von Samsung sind innovative Prozesstechnologien, die die Anforderungen ihrer gemeinsamen Kunden erfüllen, von der Bereitstellung der nächsten Generation von SoCs für mobile Rechenzentren bis hin zu Hyperscalar. ARM gab im Mai bekannt, dass es 2019 Cortex-A76-Notebooks auf den Markt bringen werde, die 3 GHz überschreiten können.
Diese wichtige Zusammenarbeit zwischen Samsung und ARM sollte es uns ermöglichen, eine neue Generation mobiler Geräte mit stark verbesserten Funktionen zu nutzen.
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