Samsung beginnt mit der Produktion seiner neuen Emram-Speicher
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Samsung Electronics gab heute bekannt, dass die Serienproduktion seiner neuen eMRAM- Speicher mit einem 28-Nanometer- Herstellungsverfahren (FD-SOI) aufgenommen wurde.
Samsungs eMRAM-Speicher versprechen, die Branche zu revolutionieren
Der MRAM-Speicher befindet sich seit vielen Jahren in der Entwicklung und ist ein nichtflüchtiger magnetischer RAM. Dies bedeutet, dass er keine Daten verliert, wenn er keinen Strom hat, wie dies heute beim normalen RAM der Fall ist.
Die 28FDS-basierte eMRAM-Lösung von Samsung bietet beispiellose Leistungs- und Geschwindigkeitsvorteile zu geringeren Kosten. Da eMRAM vor dem Schreiben von Daten keinen eindeutigen Zyklus benötigt, ist seine Schreibgeschwindigkeit ungefähr tausendmal schneller als die von eFlash. Darüber hinaus verwendet eMRAM niedrigere Spannungen als Flash-Speicher und verbraucht im ausgeschalteten Modus keinen Strom, was zu einer hohen Energieeffizienz führt.
Die Vorteile gegenüber den heute verwendeten Speichern wie RAM- und Flash-Speichern sind revolutionär, mit Latenzen von 1 ns, höherer Geschwindigkeit und größerem Widerstand. Die eMRAM- Speicher wurden entwickelt, um die aktuellen RAM- und Flash-NAND-Speicher zu ersetzen, obwohl wir etwas warten müssen.
Es wird gesagt, dass die ersten von Samsung erstellten Module eine sehr begrenzte Kapazität haben werden. Das koreanische Unternehmen wollte nicht zu viele Details zu den Modulen angeben, die es herstellt. Es ist jedoch beabsichtigt, vor Ende 2019 mit dem Testen eines 1-GB-Moduls zu beginnen. Später plant Samsung auch, eMRAM mithilfe seines 18FDS-Prozesses sowie von Knoten herzustellen basierend auf fortgeschritteneren FinFETs.
Dies könnte die Geburtsstunde einer neuen Ära sein, wenn es um Computerspeicher geht. Wir werden seine Entwicklung verfolgen.
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