Samsung kündigt seine neuen Erinnerungen an v
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Die SSD-Speichertechnologie verbessert sich rasant weiter und Samsung ist führend bei Innovationen und kündigt die fünfte Generation von V-NAND an, mit der die Anzahl der Schichten mit relativ wenigen anderen Designänderungen auf 96 erhöht wird. Die fünfte Generation wird Samsungs ersten QLC-NAND-Flash (vier Bit pro Zelle) mit einer Kapazität von 1 TB (128 GB) pro Chip enthalten.
96-Schicht-V-NAND-Speicher: Mehr Speicherplatz, Haltbarkeit und weniger Verbrauch
Im vergangenen Jahr hatte Samsung seine vierte Generation von 3D-NAND mit 64-Lagen-Design angekündigt. Diese vierte Generation von V-NAND ist jetzt in Produktion und wird in den kommenden Monaten in vielen Produkten eingesetzt. Die meisten Produkte verwenden TLC-Arrays mit 256 GB oder 512 GB. Im Vergleich zum 48-Schicht-V-NAND der dritten Generation bietet der 64-Schicht-V-NAND die gleiche Leseleistung, jedoch eine um ca. 11% höhere Schreibleistung.
Der Stromverbrauch wurde "erheblich" verbessert, wobei der für einen Lesevorgang erforderliche Strom um 12% und für einen Programmbetrieb der erforderliche Stromverbrauch um 25% abnahm. Samsung behauptet, dass sein 64-Schicht-V-NAND in einer TLC-Konfiguration 7.000 bis 20.000 Programmier- / Löschzyklen dauern kann, sodass Geräte mit diesem neuen 96-Schicht-Speicher eine längere Lebensdauer haben.
Zu den von Samsung angekündigten SSDs, die auf früheren V-NAND-Technologien basieren, gehört eine 2, 5 '128 TB QLC-basierte SAS-SSD. Für dieses Gerät stapelt Samsung 32 Matrizen pro Paket, was insgesamt 4 TB auf jedem BGA-Gerät entspricht.
Dies ist ein neuer Schritt in naher Zukunft , um Magnetspeicherlaufwerke aus dem Verkehr zu ziehen.
Quelle: anandtech
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