Samsung kündigt 3nm mbcfet-Prozess an, 5nm wird 2020 eintreffen

Auf dem mobilen SoC-Markt bewegt sich TSMC schnell, wenn es darum geht, neue Fertigungsprozessknoten einzuführen. Der koreanische Technologieriese Samsung hat heute Pläne für eine Vielzahl von Prozessknoten angekündigt. Dazu gehören ein 5- nm-FinFET und eine 3-nm-GAAFET- Variante, die Samsung als MBCFET (Multi-Bridge-Channel-FET) registriert hat.

Samsung kündigt 3-nm-MBCFET-Prozess an

Heute hat das Unternehmen auf dem Samsung Foundry Forum in Santa Clara Pläne für den Halbleiterherstellungsprozess der nächsten Generation angekündigt. Die große Ankündigung betrifft die Entwicklung des 3-nm-GAA von Samsung, der vom Unternehmen als 3GAE bezeichnet wird. Samsung hat bestätigt, dass es im letzten Monat Design-Kits für den Knoten veröffentlicht hat.

Samsung hat mit IBM für die GAAFET - Prozessknoten (Gate-All-Around) zusammengearbeitet. Heute hat das Unternehmen jedoch Anpassungen an den vorherigen Prozess angekündigt. Dies wird als MBCFET bezeichnet und ermöglicht laut Angaben des Unternehmens einen höheren Strom pro Batterie, indem der Gate All Around-Nanodraht durch einen Nanomaßstab ersetzt wird. Der Austausch vergrößert die Fahrfläche und ermöglicht das Hinzufügen weiterer Türen, ohne den seitlichen Platzbedarf zu erhöhen. Sehr technische Daten, aber mit einem Ergebnis, das die Entwicklung von FinFET erheblich verbessern sollte.

Das Produktdesign für das im April entwickelte 5-nm-FinFET- Verfahren von Samsung wird voraussichtlich in der zweiten Hälfte dieses Jahres abgeschlossen und in der ersten Hälfte des Jahres 2020 in Serie gehen.

In der zweiten Hälfte dieses Jahres plant Samsung, mit der Massenproduktion von 6-nm-Prozessgeräten zu beginnen und die Entwicklung des 4-nm-Prozesses abzuschließen. Das Produktdesign für das im April entwickelte 5-nm-FinFET-Verfahren von Samsung wird voraussichtlich in der zweiten Hälfte dieses Jahres abgeschlossen und in der ersten Hälfte des Jahres 2020 in Serie gehen.

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