Samsung wird die Finfet-Technologie bei 3nm aufgeben, geplant für 2022
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Während der Veranstaltung des Samsung Foundry Forum 2018 stellte der südkoreanische Riese eine Reihe neuer Verbesserungen seiner Prozesstechnologie vor, die auf Hochleistungscomputer und verbundene Geräte abzielen. Das Unternehmen wird die FinFET-Technologie bei 3 nm aufgeben.
Samsung wird den FinFET durch einen neuen Transistor mit 3 nm ersetzen, alle Details
Die neue Roadmap von Samsu ng konzentriert sich darauf, Kunden energieeffizientere Systeme für Geräte bereitzustellen, die auf eine Vielzahl von Branchen ausgerichtet sind. Charlie Bae, Executive Vice President und Direktor für Vertrieb und Marketing der Gießerei, sagt: "Der Trend zu einer intelligenteren, vernetzten Welt macht die Branche anspruchsvoller für Siliziumlieferanten."
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Die nächste Prozesstechnologie von Samsung ist Low Power Plus 7nm auf Basis der EUV-Lithografie, die in der zweiten Hälfte dieses Jahres in die Massenproduktionsphase eintreten und in der ersten Hälfte des Jahres 2019 erweitert wird. Der nächste Schritt wird der Low-Prozess sein. Power Early 5nm verbessert die Energieeffizienz von 7nm auf ein neues Niveau. Diese Prozesse werden weiterhin auf der FinFET-Technologie basieren, ebenso wie der nächste bei 4 nm.
Die FinFET-Technologie wird mit der Umstellung auf das 3-nm-Gate-All-Around-Early / Plus-Verfahren aufgegeben, das auf einem neueren Transistortyp basiert , mit dem die mit FinFET verbundenen physikalischen Skalierungsprobleme gelöst werden können. Es dauert noch einige Jahre, bis dieser Herstellungsprozess bei 7 nm ankommt. Die ersten Schätzungen deuten auf das Jahr 2022 hin, obwohl das Normalste darin besteht, dass es zu Verzögerungen kommt.
Wir nähern uns der auf 1 nm geschätzten Siliziumgrenze, was es schwieriger macht, neue Herstellungsverfahren voranzutreiben, und die Lücken werden kleiner.
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