Rambus spricht über die Eigenschaften des DDR5-Speichers

Vor einigen Tagen haben wir die ersten Details der neuen Hochleistungs-Stapelspeichertechnologie HBM3 erhalten. Jetzt bringen wir Ihnen die Details der neuen DDR5, die in den nächsten Jahren für neue Prozessorgenerationen verfügbar sein wird.

DDR5 erreicht 4800 MHz bei 1, 2 V.

RAMBUS hat die ersten Eigenschaften des zukünftigen DDR5-Speichers veröffentlicht, der sich bereits in einem ziemlich fortgeschrittenen Stadium seiner Entwicklung befindet. Diese neuen Speicher werden mit einer Grundfrequenz von etwa 4800 MHz eintreffen, sodass sie im Vergleich zum aktuellen DDR4 einen guten Schub darstellen. Wir können sagen, dass der langsamste DDR5 ungefähr so ​​schnell ist wie der schnellste des DDR4.

Im Laufe der Jahre wird dieser neue DDR5 wie bei allen Generationen an Vorteilen gewinnen. Seine Obergrenze könnte nahe bei 6400 MHz liegen, was einer maximalen Bandbreite von 51, 2 GB / s entspricht. Verdoppeln Sie die mit der aktuellen DDR4-Technologie erzielten 25, 6 GB / s.

Um all dies zu ermöglichen, wurde eine starke Verpflichtung zur Verbesserung der Energieeffizienz eingegangen. DDR5 wird in der Lage sein, 4800 MHz mit einer Spannung von nur 1, 2 V zu erreichen. Dies ist eine wichtige Verbesserung gegenüber den 1, 5 V, die der aktuelle DDR4 erreichen muss Schließlich heben wir hervor, dass die maximale Kapazität jedes Moduls auf 128 GB ansteigt, sodass Konfigurationen von 512 GB mit nur vier Modulen angezeigt werden können.

Die ersten DDR5-Speicher werden 2019 mit einem Herstellungsprozess bei 10 nm eintreffen und dann auf die effizientesten 7 nm migrieren.

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