Micron spricht über den Bruch mit Intel bezüglich des Nand

Micron hat über den Grund für die Trennung von Intel hinsichtlich der Zusammenarbeit bei der Entwicklung von NAND-Speichern gesprochen. Im Januar letzten Jahres gaben Intel und Micron bekannt, dass ihre Vereinigung bei der Entwicklung von NAND-Speichern zu Ende geht und beide Unternehmen planen, ihre NAND-Technologie unabhängig voneinander weiterzuentwickeln.

Micron setzt bei der Herstellung seiner NAND-Chips auf die Charge-Trap-Technologie

Der Grund für diese Trennung war bisher unbekannt, obwohl alles darauf hindeutete, dass Intel und Micron ihre NAND-Technologie in getrennte Richtungen lenken wollten. Micron und Intel verwenden die Floating Gate NAND-Technologie, eine Produktionstechnik, die sie als überlegen gegenüber dem Charge-Trap-Modell fördern, das von fast allen anderen Herstellern wie Samsung, SK Hynix, Western Digital und Toshiba verwendet wird. Mit Blick auf die vierte Generation plant Micron, auf Charge-Trap umzusteigen, wobei Intel der einzige Unterstützer der Floating Gate-Technologie bleibt.

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Bisher war Micron skeptisch hinsichtlich der Langlebigkeit des NAND 3D Charg-Trap-Speichers und spekulierte, dass Daten nach sechs Monaten ohne Strom verloren gehen könnten. Daher glaubte Micron nicht, dass das mit Charge-Trap entwickelte NAND als nichtflüchtiges Langzeitspeichermedium verwendet werden kann. Derzeit verwenden die meisten Hersteller Charge-Trap ohne Anzeichen von Datenverlustproblemen. Daher hat sich Micron für diese Technologie entschieden, die bisher abgelehnt wurde.

Trotz dieser Trennung arbeiten die beiden Unternehmen weiterhin gemeinsam an der Entwicklung von XPoint-Speicher. Sie planen, die Technologie als nichtflüchtiges Speichermedium und als Alternative zu DRAM in ausgewählten Anwendungen weiterzuentwickeln.

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