'T-Strahlen' könnten RAM-Erinnerungen bis zu 1000-mal beschleunigen
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So wie die Graphen-basierten Chips der Zukunft bereits entwickelt werden, ist es jetzt an der Zeit, die Erinnerungen zu verbessern, die heute in jedem Computer zu finden sind. Eine Gruppe russischer und europäischer Wissenschaftler hat an einer neuen Technologie namens "T-Strahlen" (Terahertz-Strahlung) gearbeitet , mit der die RAM-Geschwindigkeit um das 1000-fache verbessert werden kann.
'T-Strahlen' (Terahertz-Strahlung) zur Verbesserung der Geschwindigkeit von RAM-Speichern
Die Technologie wurde untersucht und von der Fachzeitschrift Nature Photonics veröffentlicht. Terahertz- oder "T-Ray" -Strahlung ist nicht neu, etwas Ähnliches wird bereits in Flughafenscannern verwendet, aber diesmal würde es auf Speicherzellen angewendet, um deren Funktion zu ändern.
Was die Wissenschaftler erreicht haben, ist die Anwendung von Terahertz-Strahlung auf ein ferromagnetisches Element mit geringer Koerzitivkraft, so dass sie die magnetischen Eigenschaften viel schneller ändern konnten. Auf einen RAM angewendet könnte es bis zu 1000-mal schneller arbeiten (sie schätzen) .
Dies wäre eine relativ "billige" Antwort, um die Geschwindigkeit des heutigen Arbeitsspeichers zu verbessern, die sich im Laufe der Jahre mit neuen Versionen (DDR, DDR2, DDR3, DDR4 usw.) verbessert , jedoch nicht mit der Geschwindigkeit von beispielsweise Karten Grafiken.
Wie könnten Hersteller diese Technologie mithilfe eines Magnetfelds im RAM implementieren? Heute ist ein Rätsel
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