Die euv-Herstellungsprozesse bei 7 nm und 5 nm haben mehr Schwierigkeiten als erwartet

Der Fortschritt in den Herstellungsprozessen von Siliziumchips wird immer komplizierter, was bei demselben Intel zu beobachten ist, der bei seinem Prozess bei 10 nm große Schwierigkeiten hatte, was dazu geführt hat, dass er die Lebensdauer von stark verlängert hat die 14 nm. Andere Hütten wie Globalfoundries und TSMC haben Berichten zufolge mehr Schwierigkeiten als erwartet beim Sprung auf 7-nm- und 5-nm- Prozesse auf Basis der EUV-Technologie.

Mehr Probleme als erwartet bei EUV-Prozessen bei 7 nm und 5 nm

Da Intel, Globalfoundries und TSMC mit 250-mm-Wafern und der Verwendung von EUV-Technologie auf Herstellungsprozesse von weniger als 7 nm umsteigen, stoßen sie auf mehrere größere Schwierigkeiten als erwartet. Prozessausbeuten bei 7 nm mit EUV sind noch nicht dort, wo Hersteller sein wollen, was mit der Umstellung auf 5 nm mit mehreren unterschiedlichen Anomalien in der Testproduktion noch weiter besteuert wird. Es wurde gesagt, dass es Tage dauert, bis Forscher nach Defekten auf den 7-nm- und 5-nm-Chips suchen.

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Bei kritischen Abmessungen von etwa 15 nm treten verschiedene Druckprobleme auf, die für die Herstellung von 5-nm-Chips erforderlich sind, deren tatsächliche Produktion bis 2020 erwartet wird. Der EUV-Maschinenhersteller ASML bereitet ein neues EUV-System der nächsten Generation vor Der Umgang mit diesen gefundenen Druckfehlern wird jedoch voraussichtlich erst 2024 verfügbar sein.

Hinzu kommt eine weitere Schwierigkeit im Zusammenhang mit EUV-basierten Herstellungsprozessen, der zugrunde liegenden Physik. Forscher und Ingenieure verstehen immer noch nicht genau, welche Wechselwirkungen relevant sind und bei der Gravur dieser extrem feinen Muster mit EUV-Beleuchtung auftreten. Daher ist zu erwarten, dass einige unvorhergesehene Probleme auftreten werden.

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