Hynix veröffentlicht den ersten 96-Layer 512 GB Nand CTF 4d Flash-Speicher

SK Hynix hat heute den weltweit ersten 96-Lagen-4D-NAND- Blitz mit 512 GB und 96 Lagen (Charge Trap Flash) veröffentlicht. Diese neue Art von Flash-Speicher basiert immer noch auf der 3D-DC- Technologie, aber SK Hynix hat aufgrund seiner Kombination aus Ladungsfallen-Flash-Technologie in Verbindung mit 'PUC' (Peri. Under Cell-Technologie) eine vierte Dimension hinzugefügt.

SK Hynix stellte seine neuen 96-Layer-4D-NAND-Speicher vor

Laut SK Hynix ist der Fokus (offensichtlich) besser als der häufig verwendete 3D-Ansatz für schwimmende Türen. Das 4D-NAND-Chip-Design führt zu einer Reduzierung der Chipgröße um mehr als 30% und erhöht die Bit-pro-Wafer-Produktivität um 49% im Vergleich zum 72-lagigen 512-Gb-3D-NAND des Unternehmens. Darüber hinaus bietet das Produkt 30% mehr Schreibgeschwindigkeit und 25% mehr Datenleseleistung.

Die Datenbandbreite hat sich ebenfalls verdoppelt und ist mit 64 KB Branchenführer (in der Größe). Die Daten-E / A-Rate (Eingabe / Ausgabe) erreicht 1.200 Mbit / s (Megabit / s) bei einer Spannung von 1, 2 V.

Die ersten 1-TB-Laufwerke würden 2019 eintreffen

Es ist geplant, Consumer-Laufwerke mit einer Kapazität von bis zu 1 TB zusammen mit SK Hynix-Treibern und -Firmware einzuführen. Das Unternehmen plant, 2019 1-Tb-TLC- und QLC-96-Layer-Speicherchips zu verwenden.

Dies ist die Zukunft von Solid-State-Laufwerken mit Verbesserungen an allen Fronten, erweiterten Funktionen sowie Lese- und Schreibgeschwindigkeiten.

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